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MSD36N12

30V N-Channel MOSFETs

文件:594.83 Kbytes 页数:6 Pages

BWTECH

MSD36N12

MOSFETs

Bruckewell

SDD36N12

Diode-Diode Modules

FEATURES * International standard package * Copper base plate * Planar passivated chips * Isolation voltage 3600 V~ APPLICATIONS * Supplies for DC power equipment * DC supply for PWM inverter * Field supply for DC motors * Battery DC power supplies ADVANTAGES * Space and weight savings

文件:533.13 Kbytes 页数:4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

MSD6190HB-L-Z1

QFP

MSTAR/晨星半导体

上传:深圳市鹏兴电子有限公司

MSTAR/晨星半导体

MSD7819-S02-L1

QFP-216

MSTAR

技术参数

  • Description:

    N-Channel MOSFET

  • Channel Polarity:

    N Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    12

  • ID Max (A):

    23

  • PD Max (W):

    25

  • rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ):

    40

  • rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ):

    30

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    8.4

  • Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    2.2

  • Ciss Typ (pF):

    695

  • Coss Typ (pF):

    45

  • Crss Typ (pF):

    36

  • Package Type:

    TO-252

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更多MSD36N12供应商 更新时间2025-12-13 16:45:00