MSCM20XM16F4G中文资料200V/Three Phase bridge/Si Mosfet modules数据手册Microchip规格书

描述 Description

MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery ruggedKelvin source for easy driveLow stray inductanceOutstanding performance at high frequency operationDirect mounting to heatsink (isolated package)Internal thermistor for temperature monitoring (optional)Low junction to case thermal resistanceRoHS Compliant

特性 Features

• Configuration: Three Phase bridge
• VDSS (V): 200
• RDSon (mR) typ: 16
• Current (A) Tc=80C: 77
• Silicon type: MOSFET
• Package: SP4

简介

MSCM20XM16F4G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的MSCM20XM16F4G晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。