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MSCGLQ50DH120CTBL2NG数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
MSCGLQ50DH120CTBL2NG |
| 参数属性 | MSCGLQ50DH120CTBL2NG 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：PM-IGBT-SBD-BL2 |
| 功能描述 | 1200V, 50A, BL2, Asymmetrical Bridge Trench 4 Fast + mSiC™ Diode Baseplate-less Hybrid Module |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 14:50:00 |
| 人工找货 | MSCGLQ50DH120CTBL2NG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MSCGLQ50DH120CTBL2NG规格书详情
描述 Description
'•High speed IGBT 4•Kelvin emitter for easy drive•Very low stray inductance•Ultra low weight and profile•High efficiency converter•Direct mounting to heatsink (isolated package)•Low junction to case thermal resistance•RoHS Compliant
特性 Features
High speed IGBT 4
Kelvin emitter for easy drive
简介
MSCGLQ50DH120CTBL2NG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的MSCGLQ50DH120CTBL2NG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：MSCGLQ50DH120CTBL2NG
- 生产厂家
：Microchip
- Status
：In Production
- Configuration
：Asymmetrical Bridge
- Silicon Type
：TRENCH 4 FAST
- VDSS (V)
：0
- VCES (V)
：1200
- RDSon (mR) typ
：0
- Current (A) Tc=80 C
：50
- VRRM (V)
：0
- VF (V)
：0
- PKG
：BL2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip |
24+ |
原封装 |
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