首页>MSCGLQ50A120CTBL1NG>规格书详情

MSCGLQ50A120CTBL1NG数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

PDF无图
厂商型号

MSCGLQ50A120CTBL1NG

参数属性

MSCGLQ50A120CTBL1NG 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PM-IGBT-SBD-BL1

功能描述

1200V, 50A, BL1, Phase Leg Trench 4 Fast + mSiC™ Diode Baseplate-less Hybrid Module
PM-IGBT-SBD-BL1

封装外壳

模块

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-8 12:56:00

人工找货

MSCGLQ50A120CTBL1NG价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MSCGLQ50A120CTBL1NG规格书详情

描述 Description

'•High speed IGBT 4•Kelvin emitter for easy drive•Very low stray inductance•Ultra low weight and profile•High efficiency converter•Direct mounting to heatsink (isolated package)•Low junction to case thermal resistance•RoHS Compliant

特性 Features

High speed IGBT 4
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
Ultra low weight and profile

简介

MSCGLQ50A120CTBL1NG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的MSCGLQ50A120CTBL1NG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MSCGLQ50A120CTBL1NG

  • 生产厂家

    :Microchip

  • Status

    :In Production

  • Configuration

    :Phase Leg

  • Silicon Type

    :TRENCH 4 FAST

  • VDSS (V)

    :0

  • VCES (V)

    :1200

  • RDSon (mR) typ

    :0

  • Current (A) Tc=80 C

    :50

  • VRRM (V)

    :0

  • VF (V)

    :0

  • PKG

    :BL1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAG.LAYERS/美磊
2450+
SMD
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
KEXIN/科信
23+
SMD DIP
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
24+
N/A
82000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
Microchip Technology
25+
模块
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
MAGLAYERS
24+
0805
5000
全现原装公司现货
询价
Microchip
24+
原封装
44520
郑重承诺只做原装进口现货
询价
Microchip
7
只做正品
询价
Microchip Technology
24+
Module
1262
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!
询价
MagLayers
24+
SMD
62300
一级代理/全新现货/长期供应!
询价
MICROCHIP
24+
con
273557
优势库存,原装正品
询价