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MSCGLQ50DU120CTBL1NG数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

MSCGLQ50DU120CTBL1NG

参数属性

MSCGLQ50DU120CTBL1NG 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PM-IGBT-SBD-BL1

功能描述

1200V, 50A, BL1, Dual Common Emitter Trench 4 Fast + mSiC™ Diode Baseplate-less Hybrid Module
PM-IGBT-SBD-BL1

封装外壳

模块

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:01:00

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MSCGLQ50DU120CTBL1NG规格书详情

描述 Description

'•High speed IGBT 4•Kelvin emitter for easy drive•Very low stray inductance•Ultra low weight and profile•High efficiency converter•Direct mounting to heatsink (isolated package)•Low junction to case thermal resistance•RoHS Compliant

简介

MSCGLQ50DU120CTBL1NG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的MSCGLQ50DU120CTBL1NG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MSCGLQ50DU120CTBL1NG

  • 生产厂家

    :Microchip

  • Status

    :In Production

  • Configuration

    :Dual Common Source

  • Silicon Type

    :TRENCH 4 FAST

  • VDSS (V)

    :0

  • VCES (V)

    :1200

  • RDSon (mR) typ

    :0

  • Current (A) Tc=80 C

    :50

  • VRRM (V)

    :0

  • VF (V)

    :0

  • PKG

    :BL1

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