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MSC2712GT1	文件：44.17 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor General Purpose Amplifier Transistor NPN Surface Mount • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating: TBD 文件：44.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSC2712YT1	文件：44.17 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor General Purpose Amplifier Transistor NPN Surface Mount • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating: TBD 文件：44.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSC2712GT1	文件：36.5 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：36.5 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSC2712GT1_05	文件：36.5 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：36.5 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSC2712GT1G	文件：36.5 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：36.5 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSC2712GT1G	文件：62.77 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：62.77 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSC2712YT1	文件：36.5 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：36.5 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSC2712YT1G	文件：62.77 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：62.77 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSC2712YT1G	文件：36.5 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：36.5 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSC2712GT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN 双极晶体管 The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SC-59 package, which is designed for lower power surface mount applications. • Moisture Sensitivity Level: 1\n• ESD Rating: TBD\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
7
hFE Min：
200
hFE Max：
400
fT Min (MHz)：
50
PTM Max (W)：
0.2
Package Type：
SC-59-3

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更多MSC2712供应商更新时间2025-12-26 9:31:00

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