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MSC080SMA120B4	文件：5.57041 Mbytes Page：15 Pages	1200 V, 80 mΩ SiC N-Channel Power MOSFET Features The following are key features of the MSC080SMA120B4 device: • Low capacitances and low gate charge • Fast switching speed due to low internal gate resistance (ESR) • Stable operation at high junction temperature, TJ(max) = 175 °C • Fast and reliable body diode • Superior avalanche 文件：5.57041 Mbytes 页数：15 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
MSC080SMA120B4	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1200V, 37A, 80mΩ ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
MSC1202Y2RHHT	文件：0 bytes Page：0 Pages		TI 德州仪器上传：深圳市华高宇电子有限公司	TI
MSC1210Y5PAGRG4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TQFP64	TI 德州仪器上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	TI
MSC1412AIPM	文件：0 bytes Page：0 Pages		MICROTERA 上传：深圳市瀚珑科技有限公司	MICROTERA

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更多MSC080SMA120B4供应商更新时间2026-1-23 15:08:00