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MSC040SMA120J	文件：575.92 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Lowcapacitancesandlowgatecharge ·RDS(ON)=50mΩ（MAX）@VGS=20VTJ=25℃ ·Fastandreliablebodydiodee ·Superioravalancheruggedness APPLICATIONS ·Smartgridtransmissionanddistribution ·Inductionheatingandwelding ·Powersupplyanddistribution ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MSC040SMA120J	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET; Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1200V, 65A, 40mΩ ROHS	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MSC1202Y2RHHT	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司相关企业：深圳市华高宇电子有限公司	TI
MSC1210Y5PAGRG4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI TQFP64	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司相关企业：深圳市河锋鑫科技有限公司	TI
MSC1412AIPM	文件：0 bytes Page：0 Pages	MICROTERA	MICROTERA 相关企业：深圳市瀚珑科技有限公司	MICROTERA

技术参数

package_carrier：
Tube
package_name：
ISOTOP SOT-227 (J)
Reverse Breakdown Voltage (min)：
0
Reverse Breakdown Voltage (typ)：
0
Reverse Breakdown Voltage (max)：
1200
On-State Resistance (milliohms) (min)：
0
On-State Resistance (milliohms) (typ)：
40
On-State Resistance (milliohms) (max)：
50
Drain Current (dc) (min)：
0
Drain Current (dc) (typ)：
0
Drain Current (dc) (max)：
37
Junction Temperature (℃) (min)：
-55
Junction Temperature (℃) (typ)：
0
Junction Temperature (℃) (max)：
175

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MSC040SMA120J供应商更新时间2025-7-31 10:22:00

技术参数

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