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MSC010SDA120	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) MSC010SDA120 is part of our newest family of SiC Schottky Barrier Diode (SBD) devices. Microchip's SiC solutions focus on high performance helping to maximize system efficiency and minimize system weight and size. Microchip's proven SiC reliability also ensures no performance degradation over the li AEC-Q101 Qualified\nNo reverse recovery\nLow forward voltage\nLow leakage current\nAvalanche-energy rated\nRoHS compliant;	Microchip 微芯科技	Microchip
MSC010SDA120B	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC Schottky Barrier Diodes The silicon carbide (SiC) power Schottky barrier diodes (SBD) product line from Microsemi increases your performance over silicon diode solutions while lowering your total cost of ownership for high voltage applications. The MSC010SDA120B is a 1200 V, 10 A SiC SBD in a two-lead TO-247 package. ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
MSC010SDA120K	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC Schottky Barrier Diodes The silicon carbide (SiC) power Schottky barrier diodes (SBD) product line from Microsemi increases your performance over silicon diode solutions while lowering your total cost of ownership for high voltage applications. The MSC010SDA120K is a 1200 V, 10 A SiC SBD in a two-lead TO-220 package. ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
MSC010SDA120B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247	Microchip 微芯科技	Microchip
MSC010SDA120K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2	Microchip 微芯科技	Microchip

技术参数

package_carrier：
Tube
package_name：
TO-247 (B) 2-lead
Reverse Breakdown Voltage (min)：
0
Reverse Breakdown Voltage (typ)：
0
Reverse Breakdown Voltage (max)：
1200
Junction Temperature (℃) (min)：
-55
Junction Temperature (℃) (typ)：
0
Junction Temperature (℃) (max)：
175
Forward Voltage (V) (min)：
0
Forward Voltage (V) (typ)：
1.5
Forward Voltage (V) (max)：
1.8
Capacitance (pF) (min)：
0
Capacitance (pF) (typ)：
55
Capacitance (pF) (max)：
0
Thermal Resistance (min)：
0
Thermal Resistance (typ)：
0.9
Thermal Resistance (max)：
1.3
Junction to Case (℃/W) (min)：
0
Junction to Case (℃/W) (typ)：
0
Junction to Case (℃/W) (max)：
12

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