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MSC025SMA120B	文件：356.81 Kbytes Page：2 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·RDS(ON)=25mΩ（TYP.）@VGS=20V ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance ·AvalancheRuggedness APPLICATIONS ·MotorDrives ·SolarInverters,UPS ·DownHoleDrilling ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MSC025SMA120B4	文件：262.84 Kbytes Page：2 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·RDS(ON)=25mΩ（TYP.）@VGS=20V ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance ·AvalancheRuggedness APPLICATIONS ·PVinverter,converter,andindustrialmotordrives ·Smartgridtransmissionanddistribution ·PowersupplyanddistributionMo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MSC030SDA070S	文件：320.5 Kbytes Page：3 Pages	SiC Schottky Diode DESCRIPTION ·Lowforwardvoltage ·Lowleakagecurrent ·Noreverserecovery APPLICATIONS ·Antisaturationdiode ·Powerfactorcorrection(PFC) ·Snubber/clampdiode	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MSC030SDA120B	文件：456.55 Kbytes Page：10 Pages	Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode Features ThefollowingarekeyfeaturesoftheMSC030SDA120Bdevice: Lowforwardvoltage Lowleakagecurrent Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery Avalancheenergyrated RoHScompliant Benefits ThefollowingarebenefitsoftheMSC030SDA120Bdevice: Higher-reliabilitysystems	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSC035SMA170B	文件：382.79 Kbytes Page：2 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·LowCapacitancesandLowGateCharge ·FastandReliableBodyDiode ·SuperiorAvalancheRuggedness APPLICATIONS ·PVInverter ·Converter ·SMPS ·MotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MSC040SMA120J	文件：575.92 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Lowcapacitancesandlowgatecharge ·RDS(ON)=50mΩ（MAX）@VGS=20VTJ=25℃ ·Fastandreliablebodydiodee ·Superioravalancheruggedness APPLICATIONS ·Smartgridtransmissionanddistribution ·Inductionheatingandwelding ·Powersupplyanddistribution ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MSC080SMA120B4	文件：5.57041 Mbytes Page：15 Pages	1200 V, 80 mΩ SiC N-Channel Power MOSFET Features ThefollowingarekeyfeaturesoftheMSC080SMA120B4device: •Lowcapacitancesandlowgatecharge •Fastswitchingspeedduetolowinternalgateresistance(ESR) •Stableoperationathighjunctiontemperature,TJ(max)=175°C •Fastandreliablebodydiode •Superioravalanche	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MSC080SMA120J	文件：576.47 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Lowcapacitancesandlowgatecharge ·RDS(ON)=100mΩ（MAX）@VGS=20VTJ=25℃ ·Fastandreliablebodydiodee ·Superioravalancheruggedness APPLICATIONS ·Smartgridtransmissionanddistribution ·Inductionheatingandwelding ·Powersupplyanddistribution ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MSC08N101F302	文件：286.61 Kbytes Page：4 Pages	Safety Chip Capacitors FEATURES ●Highreliabilityandstability ●Smallsizeandhighcapacitance ●RoHScompliant ●SafetystandardapprovalbyUL60950	MERITEK MERITEK ELECTRONICS CORPORATION	MERITEK
MSC08N101F502	文件：286.61 Kbytes Page：4 Pages	Safety Chip Capacitors FEATURES ●Highreliabilityandstability ●Smallsizeandhighcapacitance ●RoHScompliant ●SafetystandardapprovalbyUL60950	MERITEK MERITEK ELECTRONICS CORPORATION	MERITEK

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详细参数

型号：
MSC
功能描述：
标准环形连接器 CABLE CHUCK BOOT
RoHS：
否
制造商：
Hirose Connector
系列：
EM-W
产品类型：
Accessories
位置/触点数量：
1
安装风格：
Cable
端接类型：
Clamp

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