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MS81868-2

36V高精度、零温漂、低噪声运算放大器; • 低失调电压:40μV (最大值)\n• 低失调电压漂移:150nV/°C(最大值)\n• 低噪声:9nV/√Hz; 0.18μVp-p\n• 增益带宽积:2MHz \n• 电源抑制比:150dB(典型值)\n• 共模抑制比:145dB(典型值)\n• 宽电源电压范围:±2V至 ±18V\n• 输入包括负电源轨\n• 输出轨到轨\n• 集成EMI滤波器;

MS81868是一款高压高精度低噪声的运算放大器。其工作电压可以在单电源下从4V到36V或者双电源下从±2V到±18V。\nMS81868采用高压斩波技术来实现零温漂的特性。与同类产品相比,斩波频率谐波上的毛刺大幅度减小。该器件具有宽工作电压、高开环增益、高共模抑制比,优异的直流和交流精度,可以广泛的应用于在宽温范围内需要高精度测量的各种应用场景。\nMS81868输入共模电压范围包括负电源轨,输出电压范围为轨到轨。工作温度范围为-40℃至+125℃。\n

RelmonHangzhou RuiMeng Technology Co., Ltd.

瑞盟科技杭州瑞盟科技股份有限公司

MS81868-4

36V高精度、零温漂、低噪声运算放大器; • 低失调电压:40μV (最大值)\n• 低失调电压漂移:150nV/°C(最大值)\n• 低噪声:9nV/√Hz; 0.18μVp-p\n• 增益带宽积:2MHz \n• 电源抑制比:150dB(典型值)\n• 共模抑制比:145dB(典型值)\n• 宽电源电压范围:±2V至 ±18V\n• 输入包括负电源轨\n• 输出轨到轨\n• 集成EMI滤波器;

MS81868是一款高压高精度低噪声的运算放大器。其工作电压可以在单电源下从4V到36V或者双电源下从±2V到±18V。\nMS81868采用高压斩波技术来实现零温漂的特性。与同类产品相比,斩波频率谐波上的毛刺大幅度减小。该器件具有宽工作电压、高开环增益、高共模抑制比,优异的直流和交流精度,可以广泛的应用于在宽温范围内需要高精度测量的各种应用场景。\nMS81868输入共模电压范围包括负电源轨,输出电压范围为轨到轨。工作温度范围为-40℃至+125℃。\n

RelmonHangzhou RuiMeng Technology Co., Ltd.

瑞盟科技杭州瑞盟科技股份有限公司

MS81878-1

36V高精度、零温漂、低噪声运算放大器; • 超低斩波纹波\n• 低失调电压:15μV (最大值)\n• 低失调电压漂移:50nV/°C(最大值)\n• 低噪声:9nV/√Hz; 0.18μVp-p\n• 增益带宽积:2MHz \n• 电源抑制比:160dB(典型值)\n• 共模抑制比:150dB(典型值)\n• 宽电源电压范围:±2V至 ±18V\n• 输入包括负电源轨\n• 输出轨到轨\n• 集成EMI滤波器;

MS81878是一款高压高精度低噪声的运算放大器。其工作电压可以在单电源下从4V到36V或者双电源下从±2V到±18V。\nMS81878采用高压斩波技术来实现零温漂的特性。与同类产品相比,斩波频率谐波上的毛刺大幅度减小。该器件具有宽工作电压、高开环增益、高共模抑制比,极低的直流和交流误差,可以广泛的应用于在宽温范围内需要高精度测量的各种应用场景。\nMS81878输入共模电压范围包括负电源轨,输出电压范围为轨到轨。工作温度范围为-40℃至+125℃。\n

RelmonHangzhou RuiMeng Technology Co., Ltd.

瑞盟科技杭州瑞盟科技股份有限公司

MX-818

HIGHSPEEDCMOSPROGRAMMABLEANALOGMULTIPLEXERS

[Datel] GENERALDESCRIPTION TheMX-1616andMX-818arehigh-speed,high-performanceanalogmultiplexersmanufacturedwithadielectricallyisolatedCMOSprocess.

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

MX-818C

HIGHSPEEDCMOSPROGRAMMABLEANALOGMULTIPLEXERS

[Datel] GENERALDESCRIPTION TheMX-1616andMX-818arehigh-speed,high-performanceanalogmultiplexersmanufacturedwithadielectricallyisolatedCMOSprocess.

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

MZ818

3WATTZENERDIODES

3WATTZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

MZ818

3WATTGLASSZENERDIODES

FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

NTE818

IntegratedCircuitTVLuminanceProcessor

Description: AsingleDCpicturecontroladjuststhegainofboththelow–levelvideoandchromaamplificationincolorTVreceiverswhichemploytheNTE818LuminanceProcessor.Automaticbrightnesslimiting(ABL)andverticalmaintainingaconstantblacklevel.Duringthehorizontalblankinginte

NTE

NTE Electronics

OPA818

2.7-GHz,13-V,Gainof7-V/VStable,FET-InputOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

OPA818

OPA810140-MHz,Rail-to-RailInput/Output,FET-InputOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

技术参数

  • 工作电压范围(V):

    4 - 36

  • 增益带宽积 (typ) (MHz):

    2

  • 压摆率 (typ) (V/µs):

    3.5

  • 轨到轨:

    Out

  • 失调电压 (25°C) (Typ) (mV):

    0.008

  • 失调电压 (25°C) (max) (mV):

    0.04

  • 偏置电流(25°C) (Typ) (pA):

    100

  • 失调电压温漂(Typ)(μV/°C):

    0.15

  • 电压噪声密度f=1KHz(Typ)(nV/rtHz):

    9

  • 每通道电流 (typ) (mA):

    0.47

  • 工作温度(℃):

    -40 to 125

  • 封装:

    SOP14/TSSOP14

  • 状态:

    请联系销售

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更多MS818供应商 更新时间2025-7-28 15:59:00