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MTH6N100	文件：293.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTV6N100E	文件：298.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTV6N100E	文件：287.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTV6N100E	文件：262.47 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.5OHM TMOSE-FET™ PowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresur	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW6N100	文件：195.35 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.5OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW6N100E	文件：195.35 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.5OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW6N100E	文件：322.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW6N100E	文件：214.54 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
OM6N100NK	文件：19.02 Kbytes Page：2 Pages	POWERMOSFETSINATO-3PACKAGE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
OM6N100SA	文件：44.39 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECPACKAGE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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