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MS3N80

800V N-Channel MOSFET

文件:1.01837 Mbytes 页数:7 Pages

BWTECH

MS3N80

HV MOSFETs

Bruckewell

SSP3N80A

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 25 μA (Max.) @ VDS = 800V ■ Low RDS(ON) : 3.800 W (Typ.)

文件:687.05 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

SSS3N80

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件:281.01 Kbytes 页数:5 Pages

SAMSUNG

三星

SSS3N80A

ADVANCED POWER MOSFET

文件:321.97 Kbytes 页数:6 Pages

SAMSUNG

三星

技术参数

  • Status:

    Active

  • Description:

    N Channel MOSFET

  • Channel Polarity:

    N Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    800

  • VGS Max (V):

    30

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    3

  • rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ):

    4.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    15

  • Ciss Typ (pF):

    550

  • Package Type:

    TO-220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MS3N80供应商 更新时间2026-10-24 11:10:00