MS1008分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MS1008 |
| 参数属性 | MS1008 封装/外壳为M164；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164 |
| 功能描述 | 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 封装外壳 | M164 |
| 文件大小 |
120.53 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-25 15:01:00 |
| 人工找货 | MS1008价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MS1008规格书详情
MS1008属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MS1008晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
10 Amp Schottky Barrier Rectifiers
● Schottky barrier rectifier
● Guard ring for reverse protection
● Low power loss, high efficiency
● High surge capacity
● VRRM 80 to 90 Volts
产品属性
更多- 产品编号：
MS1008
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
233W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 1.4A，6V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
10A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M164
- 供应商器件封装：
M164
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation |
2022+ |
M164 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Microsemi/美高森美 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
2022+ |
TO-220AC |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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GPSGECPLESSEYSEMICONDUTO |
24+ |
DIP-20 |
31 |
询价 | |||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO-TO-220 |
10000 |
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24+ |
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150 |
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SIEMENS |
24+ |
DIP |
17500 |
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APT |
24+ |
235 |
现货供应 |
询价 |
