| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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MICROSEMI/美高森美TO-TO-220 |
10000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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8年
留言
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ASITO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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14年
留言
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APT |
235 |
24+ |
现货供应 |
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5年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO-220AC |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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6年
留言
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JINGDAO/晶导微SMB(DO-214AA) |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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8年
留言
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APTTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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5年
留言
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Microsemi/美高森美22+ |
6000 |
TO-220 |
十年配单,只做原装 |
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5年
留言
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Microsemi/美高森美TO-220 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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MS1008图片
MS1008价格
MS1008价格:¥365.6937品牌:ASI
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MS1008中文资料Alldatasheet PDF
更多MS1008功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray
产品属性
- 产品编号:
MS1008
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
55V
- 频率 - 跃迁:
30MHz
- 增益:
14dB
- 功率 - 最大值:
233W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 1.4A,6V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
10A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
M164
- 供应商器件封装:
M164
- 描述:
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164

















