MS1008分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MS1008规格书详情
DESCRIPTION:
The MS1008 is a 50V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions.
特性 Features
• 30 MHz
• 50 VOLTS
• IMD = –30 dB
• POUT = 150 WATTS
• GP = 14 dB MINIMUM
• COMMON EMITTER CONFIGURATION
产品属性
- 产品编号：
MS1008
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
233W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 1.4A，6V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
10A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M164
- 供应商器件封装：
M164
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LAMBDA |
23+ |
模块 |
3500 |
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询价 | ||
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GPSGECPLESSEYSEMICONDUTO |
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31 |
询价 | |||
Microsemi Corporation |
2022+ |
M164 |
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APT |
24+ |
235 |
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询价 |
