MS1006分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MS1006 |
| 参数属性 | MS1006 封装/外壳为M135；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135 |
| 功能描述 | 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 封装外壳 | M135 |
| 文件大小 |
120.15 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-26 16:38:00 |
| 人工找货 | MS1006价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MS1006规格书详情
MS1006属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MS1006晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
10 Amp Schottky Barrier Rectifiers
● Schottky barrier rectifier
● Guard ring protection
● Low power loss, high efficiency
● VRRM 50 to 60 Volts
● Reverse energy tested
产品属性
更多- 产品编号：
MS1006
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
127W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
19 @ 1.4A，6V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3.25A
- 工作温度：
200°C
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
M135
- 供应商器件封装：
M135
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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