MS1006_分立半导体产品 晶体管-双极(BJT)-射频-美高森美

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原厂料号:MS1006品牌:Microsemi Corporation

资料说明:RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

MS1006是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。制造商MICROSEMI/美高森美生产封装M135的MS1006晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

  • 芯片型号:

    ms1006

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  • 企业简称:

    MICROSEMI【美高森美】详情

  • 厂商全称:

    Microsemi Corporation

  • 中文名称:

    美高森美公司

  • 资料说明:

    RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MS1006

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    55V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 最大值:

    127W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    19 @ 1.4A,6V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    3.25A

  • 工作温度:

    200°C

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    M135

  • 供应商器件封装:

    M135

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

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