10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers ● Schottky barrier rectifer ● Guard ring protection ● Low power loss, high efficiency ● VRRM 30 to 40 Volts ● Reverse energy tested)

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MICROSEMI

美高森美

10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers ● Schottky barrier rectifier ● Guard ring protection ● Low power loss, high efficiency ● VRRM 30 to 40 Volts ● Reverse energy tested

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MICROSEMI

美高森美

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Guard -Ring for Stress Protection ·Low Forward Voltage ·High Operating Junction Temperature ·Low Power Loss/High Efficiency ·High surge capability ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation MECHANICAL CHARACTERISTICS ·Case: Epoxy, Molde

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ISC

无锡固电

激光测距专用电路

主要特点 \n 双通道单精度模式 46ps \n 单通道双精度模式 23ps \n 非校准测量范围 3.5ns(0ns)至 16μs \n 校准测量范围 3.5ns(0ns)至 4μs \n 10ns 最小脉冲间隔，双通道最多可接收 20 个脉冲 \n 4 线 SPI 通信接口 \n 工作电压 2.5V 至 3.6V \n 工作温度-40℃ 至+100℃ \n QFN20 封装;

Relmon

瑞盟科技

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

Microchip

微芯科技

Package：M177；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177

MICROSEMI

美高森美

Quasi-Resonant Power Supply ICs　SMD

Shindengen

新电元