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MS1002/P

高速测量

主要特点\n测量范围 1:\n 双通道,最小分辨率 65ps\n 测量范围 0-1.8us\n 间隔脉冲分辨能力为 15ns,每个通道可进行 4 次采样\n 可测量 4 次采样中任意 2 个采样之间的时间间隔\n 输入信号可以选择上升沿/下降沿单独触发,或者上升沿和下降沿同时触发\n 停止信号使能窗口可提供准确的 stop 使能\n测量范围 2:\n 单通道,最小分辨率 65ps\n 测量范围 500ns-4ms@4MHZ\n 间隔脉冲对分辨能力为两个校准时钟周期,可进行 3次采样\n 输入信号可以选择上升沿/下降沿单独触发,或者上升沿和下降沿同时触发\n 3 次采样中分;

Relmon

瑞盟科技

MSN1002

100V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET

文件:560.71 Kbytes 页数:6 Pages

MORESEMI

摩矽半导体

MSN1002T

100V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET

文件:530.25 Kbytes 页数:6 Pages

MORESEMI

摩矽半导体

MV1002SC

LED driver IC

文件:1.72802 Mbytes 页数:33 Pages

SUNTAN

技术参数

  • 供电电压:

    2.5V - 3.6V

  • 供电电流:

    <1uA

  • 时间精度:

    65ps

  • 封装:

    QFN32/LQFP32

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RUNMENG
23+
QFN32LQFP32
3000
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更多MS1002/P供应商 更新时间2025-12-24 11:09:00