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MS1002/N

高精度时间测量(TDC)电路

主要特点 \n测量范围 1: \n 双通道,最小分辨率 65ps \n 测量范围 0-1.8us \n 间隔脉冲分辨能力为 15ns,每个通道可进行 4 次采样 \n 可测量 4 次采样中任意 2 个采样之间的时间间隔 \n 输入信号可以选择上升沿/下降沿单独或同时触发 \n测量范围 2: \n 单通道,最小分辨率 65ps \n 测量范围 500ns-4ms@4MHZ \n 间隔脉冲对分辨能力为两个校准时钟周期,可进行 3 次采样 \n 输入信号可以选择上升沿/下降沿单独或同时触发 \n 3 次采样中分别由三个去噪声窗口过滤;

Relmon

瑞盟科技

MSN1002

100V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET

文件:560.71 Kbytes 页数:6 Pages

MORESEMI

摩矽半导体

MSN1002T

100V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET

文件:530.25 Kbytes 页数:6 Pages

MORESEMI

摩矽半导体

MV1002SC

LED driver IC

文件:1.72802 Mbytes 页数:33 Pages

SUNTAN

技术参数

  • 工作电压范围:

    1.8V~3.6V

  • 静态电流:

    <0.1uA

  • 测量模式:

    测量1/测量2

  • 测量精度(min):

    65ps

  • 测量范围:

    测量1:0~1.8us/ 测量2:500ns-4ms@4MHz

  • 测量脉冲数量:

    测量1:4个/ 测量2:3个

  • 校准系数:

    不可读

  • 测温端口:

  • 脉冲端口:

  • 封装:

    QFN32/QFN16

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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QFN32LQFP32
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更多MS1002/N供应商 更新时间2025-12-24 11:09:00