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MRFG35030R5中文资料Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRFG35030R5

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-29 9:11:00

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技术参数

  • 型号:

    MRFG35030R5

  • 功能描述:

    MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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