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MRF8P20165WH

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF8P20165WHR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔

MRF8P20165WHR3

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF8P20165WHSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔

MRF8P20165WHSR3

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF8P20165WHR5

包装:托盘 封装/外壳:NI-780-4 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF8P20165WHSR3

包装:管件 封装/外壳:NI-780S-4L 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF8P20165WHSR5

包装:托盘 封装/外壳:NI-780S-4L 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

详细参数

  • 型号:

    MRF8P20165WH

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

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更多MRF8P20165WH供应商 更新时间2024-6-23 8:00:00