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MRF8P20140WH	文件：522.53 Kbytes Page：17 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF8P20140WHR3	文件：613 Kbytes Page：15 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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MRF8P20140WHR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：NI-780-4 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF8P20140WHSR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：NI-780S-4L 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF8P20140WHSR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：NI-780S-4L 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
MRF8P20140WH
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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