MRF587分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MRF587规格书详情
The RF Line
NPN Silicon High-Frequency Transistor
. . . designed for use in high–gain, low–noise, ultra–linear, tuned and wideband amplifiers. Ideal for use in CATV, MATV, and instrumentation applications.
• Low Noise Figure —
NF = 3.0 dB (Typ) @ f = 500 MHz, IC = 90 mA
• High Power Gain —
GU(max) = 16.5 dB (Typ) @ f = 500 MHz
• Ion Implanted
• All Gold Metal System
• High fT — 5.5 GHz
• Low Intermodulation Distortion:
TB3 = –70 dB
DIN = 125 dB µV
• Nichrome Emitter Ballast Resistors
产品属性
- 产品编号：
MRF587
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
17V
- 频率 - 跃迁：
5.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3dB @ 0.5GHz
- 增益：
13dB
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
244A-01
- 供应商器件封装：
244A-01，STYLE 1
- 描述：
TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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