MRF586分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF586 |
| 参数属性 | MRF586 封装/外壳为TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 文件大小 |
198.65 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 10:10:00 |
| 人工找货 | MRF586价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MRF586规格书详情
MRF586属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MRF586晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION:
Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Applications include amplifier; pre-driver, driver, and output stages. Also suitable for oscillator and frequency-multiplier functions.
特性 Features
• Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor
• Ftau = 3.0 Ghz (typ) @ 300MHz, 14v, 90mA,
• GU max = 12.5dB (typ) @ 300 MHz, 15v, 40mA
• |S21|2 = 12.5dB (typ) @ 300 MHz, 15v, 40mA
产品属性
更多- 产品编号：
MRF586
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
17V
- 频率 - 跃迁：
3GHz
- 增益：
13.5dB
- 功率 - 最大值：
1W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39
- 描述：
RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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