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MRF586	文件：198.65 Kbytes Page：4 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: SiliconNPNtransistor,designedforVHFandUHFequipment.Applicationsincludeamplifier;pre-driver,driver,andoutputstages.Alsosuitableforoscillatorandfrequency-multiplierfunctions. Features •SiliconNPN,To-39packagedVHF/UHFTransistor •Ftau=3.0Ghz(typ)@30	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF586	文件：17.8 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION: TheMRF586isaHighFrequencyTransistorDesignedforHighGainLowNoiseCATV,andMATVAmplifierApplications.	ASI Advanced Semiconductor, Inc
MRF586	文件：299.09 Kbytes Page：4 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: SiliconNPNtransistor,designedforVHFandUHFequipment.Applicationsincludeamplifier;pre-driver,driver,andoutputstages.Alsosuitableforoscillatorandfrequency-multiplierfunctions. Features •SiliconNPN,To-39packagedVHF/UHFTransistor •Ftau=3.0Ghz(typ)@30	ADPOW Advanced Power Technology
MRF586	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
586	文件：331.61 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
AD586	文件：495.04 Kbytes Page：33 Pages	CompleteDual,16-Bit,HighAccuracy,SerialInput,BipolarVoltageOutputDACs GENERALDESCRIPTION TheAD5762Risadual,16-bit,serialinput,bipolarvoltageoutputDACthatoperatesfromsupplyvoltagesof±11.4Vto±16.5V.Nominalfull-scaleoutputrangeis±10V.TheAD5762Rprovidesintegratedoutputamplifiers,referencebuffers,andproprietarypower-up/power-down	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586	文件：203.13 Kbytes Page：8 Pages	HighPrecision5VReference GENERALDESCRIPTION TheAD586representsamajoradvanceinstate-of-the-artmonolithicvoltagereferences.Usingaproprietaryion-implantedburiedZenerdiodeandlaserwafertrimmingofhighstabilitythin-filmresistors,theAD586providesoutstandingperformanceatlowcost. TheAD586offe	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586	文件：479.08 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecision5VReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586	文件：1.68434 Mbytes Page：44 Pages	Quad-Channel,12-Bit,SerialInput,4mAto20mAOutput	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586	文件：993.6 Kbytes Page：32 Pages	UltralowNoise,HighAccuracy	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586	文件：1.1692 Mbytes Page：48 Pages	Quad-Channel,12-Bit,SerialInput,4mAto20mA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586A	文件：203.13 Kbytes Page：8 Pages	HighPrecision5VReference GENERALDESCRIPTION TheAD586representsamajoradvanceinstate-of-the-artmonolithicvoltagereferences.Usingaproprietaryion-implantedburiedZenerdiodeandlaserwafertrimmingofhighstabilitythin-filmresistors,theAD586providesoutstandingperformanceatlowcost. TheAD586offe	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586AR	文件：479.08 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecision5VReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586AR	文件：479.08 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecision5VReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586AR	文件：203.13 Kbytes Page：8 Pages	HighPrecision5VReference GENERALDESCRIPTION TheAD586representsamajoradvanceinstate-of-the-artmonolithicvoltagereferences.Usingaproprietaryion-implantedburiedZenerdiodeandlaserwafertrimmingofhighstabilitythin-filmresistors,theAD586providesoutstandingperformanceatlowcost. TheAD586offe	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586AR-REEL	文件：479.08 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecision5VReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586AR-REEL	文件：479.08 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecision5VReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586B	文件：203.13 Kbytes Page：8 Pages	HighPrecision5VReference GENERALDESCRIPTION TheAD586representsamajoradvanceinstate-of-the-artmonolithicvoltagereferences.Usingaproprietaryion-implantedburiedZenerdiodeandlaserwafertrimmingofhighstabilitythin-filmresistors,theAD586providesoutstandingperformanceatlowcost. TheAD586offe	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586BR	文件：479.08 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecision5VReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD586BR	文件：479.08 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecision5VReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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产品属性

产品编号：
MRF586
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
17V
频率 - 跃迁：
3GHz
增益：
13.5dB
功率 - 最大值：
1W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39
描述：
RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39

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