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MRF450A	文件：33.05 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF450Ais Designed for 12.5 Volt Power Amplifier Applications up to 30 MHz. FEATURES INCLUDE: • POUT= 50 W • PG= 11 dB Min. @ 30MHz & 50W • Efficiency 50 文件：33.05 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF450A	文件：269.38 Kbytes Page：2 Pages	THE RF LINE NPN SILICON RF POWER TRANSISOTRS 50W - 3MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON 文件：269.38 Kbytes 页数：2 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MRF450A	文件：90.37 Kbytes Page：2 Pages	The RF Line The RF Line NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS . . . designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. • Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics - Output Power = 50 Watts Minimum Gain = 1 1 dB Efficiency = 50 文件：90.37 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF450A	文件：90.37 Kbytes Page：2 Pages	The RF Line NPN SILICON RF POWER TRANSISOTRS 50W - 3MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON 文件：90.37 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF450A	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION:\nThe ASI MRF450Ais Designed for 12.5 Volt Power Amplifier Applications up to 30 MHz.\nFEATURES INCLUDE:\n•POUT= 50 W\n• PG= 11 dB Min. @ 30MHz & 50W\n•Efficiency 50%	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
MRF450A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 25V 20A 4-Pin Case 211-11	NJS	NJS

技术参数

Output Power：
80W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
40@5A@5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
20A
Maximum Collector Emitter Voltage：
25V
Maximum Collector Base Voltage：
45V
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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更多MRF450A供应商更新时间2025-12-24 9:03:00

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