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MRF327分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MRF327

参数属性

MRF327 封装/外壳为316-01;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 33V 316-01

功能描述

The RF Line Controlled ?쏲??Broadband Power Transistor 80W, 100 to 500MHz, 28V

封装外壳

316-01

文件大小

239.04 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

MA-COM

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更新时间

2026-2-4 18:41:00

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MRF327规格书详情

Designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 100 to 500 MHz frequency range.

• Guaranteed performance @ 400 MHz, 28 Vdc

Output power = 80 W over 225 to 400 MHz Band

Minimum gain = 7.3 dB @ 400 MHz

• Built–in matching network for broadband operation using

double match technique

• 100 tested for load mismatch at all phase angles with 30:1

VSWR

• Gold metallization system for high reliability applications

• Characterized for 100 =8 500 MHz

产品属性

  • 产品编号:

    MRF327

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    33V

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    80W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    9A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    316-01

  • 供应商器件封装:

    316-01,1 型

  • 描述:

    RF TRANS NPN 33V 316-01

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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