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MRF323分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MRF323
厂商型号

MRF323

参数属性

MRF323 封装/外壳为244-04;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04

功能描述

RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04

文件大小

184.96 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Tyco Electronics
企业简称

MACOM

中文名称

Tyco Electronics官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-8 20:53:00

MRF323规格书详情

The RF Line

NPN Silicon RF Power Transistor

. . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier stages in the 200–500 MHz frequency range.

• Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V

Output Power = 20 Watts

Power Gain = 10 dB Min

Efficiency = 50 Min

• 100 Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

• Gold Metallization System for High Reliability

• Computer–Controlled Wirebonding Gives Consistent Input Impedance

MRF323属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。Tyco Electronics制造生产的MRF323晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    MRF323

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    33V

  • 增益:

    11dB

  • 功率 - 最大值:

    20W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 1A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    2.2A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    244-04

  • 供应商器件封装:

    244-04,1 型

  • 描述:

    TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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