MRF323分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MRF323规格书详情
The RF Line
NPN Silicon RF Power Transistor
. . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier stages in the 200–500 MHz frequency range.
• Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V
Output Power = 20 Watts
Power Gain = 10 dB Min
Efficiency = 50 Min
• 100 Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
• Gold Metallization System for High Reliability
• Computer–Controlled Wirebonding Gives Consistent Input Impedance
产品属性
- 产品编号：
MRF323
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
33V
- 增益：
11dB
- 功率 - 最大值：
20W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
2.2A
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
244-04
- 供应商器件封装：
244-04，1 型
- 描述：
TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
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