MRF323分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MRF323 |
参数属性 | MRF323 封装/外壳为244-04;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04 |
功能描述 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
文件大小 |
184.96 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Tyco Electronics |
企业简称 |
MACOM |
中文名称 | Tyco Electronics官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-8 20:53:00 |
MRF323规格书详情
The RF Line
NPN Silicon RF Power Transistor
. . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier stages in the 200–500 MHz frequency range.
• Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V
Output Power = 20 Watts
Power Gain = 10 dB Min
Efficiency = 50 Min
• 100 Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
• Gold Metallization System for High Reliability
• Computer–Controlled Wirebonding Gives Consistent Input Impedance
MRF323属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。Tyco Electronics制造生产的MRF323晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
MRF323
- 制造商:
MACOM Technology Solutions
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
33V
- 增益:
11dB
- 功率 - 最大值:
20W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 1A,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
2.2A
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
244-04
- 供应商器件封装:
244-04,1 型
- 描述:
TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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