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MRF321分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MRF321

参数属性

MRF321 封装/外壳为244-04;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 33V 244-04

功能描述

The RF Line NPN Silicon Power Transistor 10W, 400MHz, 28V

封装外壳

244-04

文件大小

224.46 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

MA-COM

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更新时间

2026-1-31 16:31:00

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MRF321规格书详情

The RF Line NPN Silicon Power Transistor 10W, 400MHz, 28V

Designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier stages in 200–500 MHz frequency range.

● Guaranteed performance at 400 MHz, 28 Vdc

Output power = 10 W

Power gain = 12 dB min.

Efficiency = 50 min.

● 100 tested for load mismatch at all phase angles

with 30:1 VSWR

● Gold metallization system for high reliability

● Computer–controlled wirebonding gives consistent

input Impedance

产品属性

  • 产品编号:

    MRF321

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    33V

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    10W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 500mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    1.1A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    244-04

  • 供应商器件封装:

    244-04,1 型

  • 描述:

    RF TRANS NPN 33V 244-04

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