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MRF317数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MRF317

参数属性

MRF317 封装/外壳为316-01;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:TRANS RF NPN 35V 12A 316-01

功能描述

The RF Line NPN Silicon RF Power Transistors

封装外壳

316-01

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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MRF317规格书详情

描述 Description

100 W, 30 – 200 MHz CONTROLLED Q BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
• Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc Output Power = 100 W Minimum Gain = 9.0 dB
• Built–In Matching Network for Broadband Operation
• 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
• Gold Metallization System for High Reliability
• High Output Saturation Power — Ideally Suited for 30 W Carrier/120 W Peak AM Amplifier Service
• Guaranteed Performance in Broadband Test Fixture

技术参数

  • 产品编号:

    MRF317

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    35V

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    100W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    12A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    316-01

  • 供应商器件封装:

    316-01,1 型

  • 描述:

    TRANS RF NPN 35V 12A 316-01

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