MRF316中文资料NPN SILICON RF POWER Transistor数据手册恩XP规格书
MRF316规格书详情
描述 Description
80 W, 3.0 – 200 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON. . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 30– 200 MHz frequency range.
• Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc
Output Power = 80 Watts
Minimum Gain = 10 dB
• Built–In Matching Network for Broadband Operation
• 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
• Gold Metallization System for High Reliability Applications
技术参数
- 产品编号:
MRF316
- 制造商:
ETC
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
35V
- 增益:
13dB
- 功率 - 最大值:
80W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 4A,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
9A
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
316-01
- 供应商器件封装:
316-01,1 型
- 描述:
TRANS RF NPN 35V 9A 316-01
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA/摩托罗拉 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
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24+ |
5000 |
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进口原装现货 |
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1931+ |
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