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MRF316中文资料NPN SILICON RF POWER Transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF316

参数属性

MRF316 封装/外壳为316-01;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:TRANS RF NPN 35V 9A 316-01

功能描述

NPN SILICON RF POWER Transistor

封装外壳

316-01

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:21:00

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MRF316规格书详情

描述 Description

80 W, 3.0 – 200 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON. . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 30– 200 MHz frequency range.
• Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc
   Output Power = 80 Watts
   Minimum Gain = 10 dB
• Built–In Matching Network for Broadband Operation
• 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
• Gold Metallization System for High Reliability Applications

技术参数

  • 产品编号:

    MRF316

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    35V

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    80W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 4A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    9A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    316-01

  • 供应商器件封装:

    316-01,1 型

  • 描述:

    TRANS RF NPN 35V 9A 316-01

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