MRF316数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
MRF316规格书详情
描述 Description
80 W, 3.0 – 200 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON. . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 30– 200 MHz frequency range.
• Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc
Output Power = 80 Watts
Minimum Gain = 10 dB
• Built–In Matching Network for Broadband Operation
• 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
• Gold Metallization System for High Reliability Applications
技术参数
- 产品编号：
MRF316
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
35V
- 增益：
13dB
- 功率 - 最大值：
80W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 4A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
9A
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
316-01
- 供应商器件封装：
316-01，1 型
- 描述：
TRANS RF NPN 35V 9A 316-01
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
20+ |
高频管 |
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MOT |
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高频管 |
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原厂 |
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模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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NA |
5000 |
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