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MRF151G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

MRF151G
厂商型号

MRF151G

参数属性

MRF151G 封装/外壳为375-04;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 2CH 125V 175MHZ 375-04

功能描述

N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

封装外壳

375-04

文件大小

250.44 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Tyco Electronics
企业简称

MACOM

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司官网

原厂标识
MACOM
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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MRF151G规格书详情

The RF MOSFET Line

RF Power Field-Effect Transistor

N–Channel Enhancement–Mode MOSFET

Designed for broadband commercial and military applications at frequencies to 175 MHz. The high power, high gain and broadband performance of this device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.

• Guaranteed Performance at 175 MHz, 50 V:

Output Power — 300 W

Gain — 14 dB (16 dB Typ)

Efficiency — 50

• Low Thermal Resistance — 0.35°C/W

• Ruggedness Tested at Rated Output Power

• Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability

产品属性

  • 产品编号:

    MRF151G

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    2 N 沟道(双)共源

  • 频率:

    175MHz

  • 增益:

    16dB

  • 额定电流(安培):

    40A

  • 功率 - 输出:

    300W

  • 封装/外壳:

    375-04

  • 供应商器件封装:

    375-04,2 型

  • 描述:

    FET RF 2CH 125V 175MHZ 375-04

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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