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MR2A16AVYS35R	文件：300 bytes Page：1 Pages	4Mb 16-bit I/O Parallel Interface MRAM; The MR2A16A is the ideal memory for applications that must perrmanently store and retrieve critical data and programs quickly.\n• Commercial, Industrial operating temperatures.\n• AEC-Q100 Grade 1 Qualified options available.\n• 35ns Read/Write speed with unlimited endurance.\n• Data non-volatile with 20 years endurance.\n• Data retained on power loss.\n• RoHS compliant packages.\n\n .\n	Everspin Everspin Technologies Inc.	Everspin
MR2A16AVYS35R	文件：1.17547 Mbytes Page：20 Pages	256K x 16 MRAM Memory	EVERSPIN Everspin Technologies Inc.	EVERSPIN
MR2A16AVYS35R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2	EVERSPIN Everspin Technologies Inc.	EVERSPIN
MR2A16AVYS35	文件：1.17547 Mbytes Page：20 Pages	256Kx16MRAMMemory	EVERSPIN Everspin Technologies Inc.	EVERSPIN
MR2A16AVYS35	文件：231.25 Kbytes Page：22 Pages	256Kx16-Bit3.3-VAsynchronousMagnetoresistiveRAM	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MR2A16AVYS35	文件：219.88 Kbytes Page：20 Pages	64Kx16-Bit3.3-VAsynchronousMagnetoresistiveRAM	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale

产品属性

产品编号：
MR2A16AVYS35R
制造商：
Everspin Technologies Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
RAM
技术：
MRAM（磁阻式 RAM）
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
35ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP2
描述：
IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MR2A16AVYS35R供应商更新时间2025-7-28 16:31:00

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