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MPSW06	文件：23.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess33.SeeMPSA06forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPSW06	文件：138.33 Kbytes Page：4 Pages	One Watt Amplifier Transistors OneWattAmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPSW06	文件：101.82 Kbytes Page：4 Pages	One Watt Amplifier Transistors(NPN Silicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSW06	文件：102.63 Kbytes Page：4 Pages	One Watt Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSW06	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 0.5A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSW06G	文件：102.63 Kbytes Page：4 Pages	One Watt Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSW06RLRA	文件：102.63 Kbytes Page：4 Pages	One Watt Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSW06RLRAG	文件：102.63 Kbytes Page：4 Pages	One Watt Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSW06RLRA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN SS GP 1W 80V TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSW06RLRAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 0.5A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MPSW06
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 10mA，250mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 250mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 80V 0.5A TO92

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