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MPSL01	文件：199.58 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistor AmplifierTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPSL01	文件：267.8 Kbytes Page：7 Pages	NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) AMPLIFIERTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=120V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPSL01	文件：23.28 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurpose,highvoltage amplifiersandgasdischargedisplaydriving.Sourcedfrom Process16.See2N5551forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPSL01	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors SmallSignalTransistors TO-92Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPSL01	文件：202.57 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR AmplifierTransistor.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MPSL01	文件：295.7 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPSL01	文件：158.57 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSL01	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 0.2A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSL01_01	文件：295.7 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPSL01C	文件：214.9 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
MPSL01
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
60MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 120V 0.2A TO92-3

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更多MPSL01供应商更新时间2025-6-16 15:10:00

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