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PT6601S	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
S6601	文件：110.33 Kbytes Page：1 Pages	SunRunner®PVHRCableClips	HeycoHeyco. 海科	Heyco
SL6601C	文件：427.76 Kbytes Page：6 Pages	FMIF,PLLDETECTOR(DOUBLECONVERSION)ANDRFMIXER [GECPLESSEY]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SPC6601	文件：264.05 Kbytes Page：11 Pages	N&PPairEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
SQ6601PT	文件：421.87 Kbytes Page：8 Pages	Off-LineQuasi-ResonanceFlybackSwitchingRegulator Description TheSQ6601PTisahybridICconsistsfrompowerMOSFETandacontrollerIC,designedforIndirectfeed-backQuasi-Resonant(includinglowfrequencyPRC)fly-backconvertertypeSMPS(SwitchingModePowerSupply)applications.thisICrealizeshighefficiency,lownoise,downsizingand	AUK AUK corp	AUK
SST6601	文件：613.8 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SST6601	文件：910.04 Kbytes Page：7 Pages	NAndP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SST6601-C	文件：826.11 Kbytes Page：7 Pages	NAndP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STM6601	文件：1.29534 Mbytes Page：51 Pages	Smartpush-buttonon/offcontrollerwithSmartResetTMandpower-onlockout Description TheSTM6600-01devicesmonitorthestateofconnectedpush-button(s)aswellassufficientsupplyvoltage.AnenableoutputcontrolspowerfortheapplicationthroughtheMOSFETtransistor,DC-DCconverter,regulator,etc.Ifthesupplyvoltageisaboveaprecisevoltagethreshold,th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STS6601	文件：168.23 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-26package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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产品属性

产品编号：
MPS6601G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 25V 1A TO92

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