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STS6601	文件：454.65 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6601	文件：613.87 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6601	文件：489.77 Kbytes Page：6 Pages	N&P-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
THN6601B	文件：280.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
TPC6601	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC6601	文件：158.39 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconPNPEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TS6601H	文件：261.92 Kbytes Page：7 Pages	TactSwitchSeries(6x6mm)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TS6601HA	文件：261.92 Kbytes Page：7 Pages	TactSwitchSeries(6x6mm)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TS6601HB	文件：261.92 Kbytes Page：7 Pages	TactSwitchSeries(6x6mm)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TS6601HC	文件：261.92 Kbytes Page：7 Pages	TactSwitchSeries(6x6mm)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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产品属性

产品编号：
MPS6601G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 25V 1A TO92

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