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SF6562SGT	文件：65.28 Kbytes Page：2 Pages	HighPerformanceTransitionModePFCController	SIFIRSTSIFIRST TECHNOLOGIES NANHAI LIMITED 南海赛威佛山市南海赛威科技技术有限公司	SIFIRST
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SI6562CDQ	文件：253.63 Kbytes Page：17 Pages	N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFETs FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFETs APPLICATIONS •LoadSwitch •DC/DCConverter OrderingInformation:Si6562CDQ-T1-GE3(Lead(Pb)-freeandHalogen-free)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI6562CDQ	文件：250.86 Kbytes Page：17 Pages	N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFETs	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
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SPN6562	文件：198.78 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
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STB6562	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STN6562	文件：520.26 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
MPS6562_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MPS6562_Q供应商更新时间2025-5-24 15:23:00

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