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MPS6651	文件：69.39 Kbytes Page：2 Pages	PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR) AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCES = 25V • Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW 文件：69.39 Kbytes 页数：2 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MPS6651	文件：82.11 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY HIGH CURRENT AMPLIFIER TRANSISTORS 文件：82.11 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MPS6651	文件：246.1 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors 文件：246.1 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MPS6651	文件：122.37 Kbytes Page：2 Pages	NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limit NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limit 文件：122.37 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MPS6651	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6651	文件：91.95 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors 文件：91.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6651	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PNP 25V 1A TO-92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6651	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 25V 1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6651G	文件：91.95 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors 文件：91.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6651G	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MPS6651
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 25V 1A TO92

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更多MPS6651供应商更新时间2026-1-20 23:00:00

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