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MPS6533

PNP SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPS6533 series types are PNP silicon transistors designed for general purpose amplifier applications. The NPN complementary types are MPS6530, MPS6531, MPS6532 respectively. MARKING: FULL PART NUMBER

文件:327.7 Kbytes 页数:2 Pages

CENTRAL

MPS6533

COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS & SWITCHES

COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS & SWITCHES

文件:133.14 Kbytes 页数:2 Pages

MICRO-ELECTRONICS

MPS6533

Trans GP BJT PNP 40V 0.6A

NJS

新泽西半导体

NI6533

High-Speed 32-bit Digital Pattern I/O and Handshaking

文件:35.3 Kbytes 页数:2 Pages

NI

恩艾

NIDAQCARD-6533

High-Speed 32-bit Digital Pattern I/O and Handshaking

文件:35.3 Kbytes 页数:2 Pages

NI

恩艾

NIPXI-6533

High-Speed 32-bit Digital Pattern I/O and Handshaking

文件:35.3 Kbytes 页数:2 Pages

NI

恩艾

晶体管资料

  • 型号:

    MPS6533

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_TR

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC297,BC327,BC727,BC827,3CK9C,

  • 最大耗散功率:

    0.31W

  • 放大倍数:

    β=40-120

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.31

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    40V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.5@10mA@100mAV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    40V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.6A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    4V

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Power Dissipation:

    625mW

  • Maximum Transition Frequency:

    250(Typ)MHz

  • Type:

    PNP

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更多MPS6533供应商 更新时间2026-4-17 16:01:00