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MPS6523	文件：22.14 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. See PN200 for characteristics. 文件：22.14 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MPS6523	文件：29.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR) AMPLIFIER TRANSISTORS • Collector-Emitter Voltage: VCE=25V • Collector Dissipation: Pc(max)=625mW 文件：29.58 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MPS6523	文件：81.05 Kbytes Page：2 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors Features • Voltage and Current are Negative for PNP Transistor 文件：81.05 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
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晶体管资料

型号：
MPS6520
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC184,BC384,BC413,BC550,3DG120B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β=200-400
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@5mA@50mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
25V
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Transition Frequency：
400(Typ)MHz
Type：
NPN

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