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MPS651

Marking:MPS651;Package:TO-92;TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES GeneralPurposeAmplifier

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

MPS651

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

MPS651

Amplifier Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MPS651

Amplifier Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MPS6512

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS MPS6512thruMPS6515areNPNsiliconplanarepitaxialtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandforcomplementarycircuitry.

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MPS6512

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMPS6512Series(NPN)andMPS6516Series(PNP)typesaremoldedEpoxySiliconSmallSignalTransistorsdesignedforgeneral-purposeamplifierapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

MPS6512

AMPLIFIER TRANSISTOR

AMPLIFIERTRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

MPS6512

AMPLIFIER TRANSISTOR

AMPLIFIERTRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

MPS6512S

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION MPS6512SisNPNsiliconplanartransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MPS6513

NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)

AMPLIFIERTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=30V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

晶体管资料

  • 型号:

    MPS6511

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    电视 (TV)_中频放大 (ZF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

  • 最大工作频率:

    >700MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF173,BF199,BF244,BF311,BF373,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    0

  • htest:

    700000100

  • atest:

    0

  • wtest:

    0

详细参数

  • 型号:

    MPS651

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor Medium Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多MPS651供应商 更新时间2025-5-19 10:20:00