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MPS3706

NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

GENERALPURPOSEAMPLIFIER •Collector-EmitterVoltage:VCEO=20V •CollectorDissipation:PcImax)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

MPS3706

PNP/NPN SILICON GENERAL PURPOSE AF TRANSISTORS

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MPS3706

PNP NPN SILICON GENERAL PURPOSE AF TRANSISTORS

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MPS3706

SILICON NPN TRANSISTOR

SmallSignalTransistors TO-92Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

MPS3706

Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch;

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

MPS3706C

NPN TRANSISTOR

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

技术参数

  • Case:

    TO-92

  • Configuration/ Description:

    NPN General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity:

    NPN

  • IC MAX:

    600mA

  • PD MAX:

    625mW

  • VCEO MAX:

    20V

  • hFE MIN:

    30

  • hFE MAX:

    600

  • @VCE:

    2V

  • VCE(SAT) MAX:

    1V

  • @IC:

    100mA

  • @IB:

    5mA

  • Cob MAX:

    12pF

  • fT MIN:

    100MHz

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更多MPS3706供应商 更新时间2025-7-28 16:00:00