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MPS3706	文件：31.58 Kbytes Page：1 Pages	NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) GENERAL PURPOSE AMPLIFIER • Collector-Emitter Voltage: VCEO=20V • Collector Dissipation: Pc Imax)=625mW 文件：31.58 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MPS3706	文件：46.65 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) 文件：46.65 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MPS3706	文件：299.43 Kbytes Page：4 Pages	PNP/NPN SILICON GENERAL PURPOSE AF TRANSISTORS 文件：299.43 Kbytes 页数：4 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MPS3706	文件：311.38 Kbytes Page：4 Pages	PNP NPN SILICON GENERAL PURPOSE AF TRANSISTORS 文件：311.38 Kbytes 页数：4 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MPS3706	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
MPS3706C	文件：52.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR 文件：52.62 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
MPS3706
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
β>30
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
100000100
atest：
0.8
wtest：
0.36

技术参数

Case：
TO-92
Configuration/ Description：
NPN General Purpose Amplifier/Switch
Polarity：
NPN
IC MAX：
600mA
PD MAX：
625mW
VCEO MAX：
20V
hFE MIN：
30
hFE MAX：
600
@VCE：
2V
VCE(SAT) MAX：
1V
@IC：
100mA
@IB：
5mA
Cob MAX：
12pF
fT MIN：
100MHz

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