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MPCC06N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC Diode	Marching Power 芯长征微	Marching Power
UT06N65	文件：1.59177 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.59177 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
FTA06N65C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement InPower Product Lines 文件：54.71 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FTP06N65	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement InPower Product Lines 文件：54.71 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

VRRM (V)：
650
If(A)@150℃：
6
Ptot(W)@25℃：
111
Vf(V)25℃_Typ：
1.5
Vf(V)25℃_Max：
1.8
Vf(V)175℃_Typ：
2.2
Qc(nC)：
22

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MPCC06N65供应商更新时间2025-12-11 15:01:00

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