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XPGA855RGTR	文件：3.38238 Mbytes Page：42 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features •Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=⅛,¼,½,1,2,4,8,and16 •Lowgainerrordrift:1ppm/°C(max)atG=1V/V •Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypinstoallow forADCinputoverdriveprotection –Outputcommon-modecontrol •Faster	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ZTX855	文件：83.47 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHCURRENTTRANSISTOR aFeatures •BVCEO>150V •IC=4AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=10APeakPulseCurrent •TJupto200°CforHighTemperatureOperation •LowSaturationVoltage	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZTX855	文件：71.95 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHCURRENTTRANSISTOR FEATURES 150VoltVCEO 4Ampscontinuouscurrent Upto10Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltage *Ptot=1.2Watt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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LOGO

XPGA855RGTR

文件：3.38238 Mbytes

Page：42 Pages

PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier

1Features •Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=⅛,¼,½,1,2,4,8,and16 •Lowgainerrordrift:1ppm/°C(max)atG=1V/V •Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypinstoallow forADCinputoverdriveprotection –Outputcommon-modecontrol •Faster

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

ZTX855

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Page：3 Pages

NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHCURRENTTRANSISTOR

aFeatures •BVCEO>150V •IC=4AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=10APeakPulseCurrent •TJupto200°CforHighTemperatureOperation •LowSaturationVoltage

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

ZTX855

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NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHCURRENTTRANSISTOR

FEATURES *150VoltVCEO *4Ampscontinuouscurrent *Upto10Ampspeakcurrent *Verylowsaturationvoltage *Ptot=1.2Watt

Zetex

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更多MPC855TUMD供应商更新时间2024-5-17 16:12:00

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