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IXFH6N120P	文件：185.65 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP6N120	文件：295.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP6N120P	文件：169.88 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar™HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●Dynamicdv/dtRating ●AvalancheRated ●FastIntrinsicDiode ●LowQG ●LowRDS(on) ●LowDrain-to-TabCapacitance ●LowPackageInductance Advant	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP6N120P	文件：185.65 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH6N120	文件：321.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andHighpowerdensity	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH6N120	文件：590.73 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT6N120	文件：590.73 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
RS6N120BH	文件：2.98348 Mbytes Page：13 Pages	Nch80V135APowerMOSFET Features 1)Lowon-resistance 2)Highpowerpackage(HSOP8) 3)Pb-freeplating;RoHScompliant 4)Halogenfree 5)100%RgandUIStested Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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