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IXFH6N120P中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
IXFH6N120P
- 功能描述:
MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
400 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO3P |
58000 |
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询价 | ||
IXYS |
13+;12+ |
TO-247 |
19 |
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IXYS |
21+ |
TO2473 |
13880 |
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IXYS |
1844+ |
TO-247 |
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IXYS |
22+23+ |
TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
2022 |
TO-247 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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IXYS/艾赛斯 |
TO-247 |
265209 |
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询价 | |||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
6328 |
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询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
2200 |
有挂有货,原装正品,代理处分货 |
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